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wafer晶圓幾何形貌測量系統(tǒng):厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)測量

更新時間:2025-05-23點擊次數(shù):317

晶圓是半導體制造的核心基材,所有集成電路(IC)均構建于晶圓之上,其質量直接決定芯片性能、功耗和可靠性,是摩爾定律持續(xù)推進的物質基礎。其中晶圓的厚度(THK)、翹曲度(Warp) 和彎曲度(Bow) 是直接影響工藝穩(wěn)定性和芯片良率的關鍵參數(shù):

1、厚度(THK) 是工藝兼容性的基礎,需通過精密切割與研磨實現(xiàn)全局均勻性。

2、翹曲度(Warp) 反映晶圓整體應力分布,直接影響光刻和工藝穩(wěn)定性,需通過退火優(yōu)化和應力平衡技術控制。

3、彎曲度(Bow) 源于材料與工藝的對稱性缺陷,對多層堆疊和封裝尤為敏感,需在晶體生長和鍍膜工藝中嚴格調控。

在先進制程中,三者共同決定了晶圓的幾何完整性,是良率提升和成本控制的核心參數(shù)。通過WD4000晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)在線檢測,可減少其對芯片性能的影響。


圖片1.jpg

WD4000晶圓幾何量測系統(tǒng)適用于裸晶圓、圖案晶圓、鍵合晶圓、貼膜晶圓、超薄晶圓等復雜結構晶圓的量測應用。

(1)搭配中圖全自主研發(fā)的EFEM系統(tǒng),可以適配loadport、smifport、carrier等多種形式,實現(xiàn)全自動上下料,實現(xiàn)在單系統(tǒng)內完成晶圓厚度、平坦度、粗糙度、膜厚等面型參數(shù)的高精度測量。

(2)系統(tǒng)覆蓋襯底切磨拋,光刻/蝕刻后翹曲度檢測,背面減薄厚度監(jiān)測等關鍵工藝環(huán)節(jié)。


晶圓作為半導體工業(yè)的“地基",其高純度、單晶結構和大尺寸等特點,支撐了芯片的高性能與低成本制造。其戰(zhàn)略價值不僅體現(xiàn)在技術壁壘和產(chǎn)業(yè)核心地位,更在于推動全球電子設備小型化、智能化及新興領域(如AI、自動駕駛)的發(fā)展。晶圓技術的持續(xù)創(chuàng)新,是半導體行業(yè)進步的核心驅動力之一。

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